| 1981年 |
北伊丹製作所福岡半導体工場で生産を開始 |
| 1983年 |
北伊丹製作所より電力用半導体、パワートランジスタ生産移管 |
| 1990年 |
北伊丹製作所よりパワーデバイス事業移管 |
| 1993年 |
インテリジェントパワーモジュール開発 |
| 1994年 |
世界最大6インチウエハ使用の光サイリスタ、GTOサイリスタ開発 |
| 1996年 |
HVIPMを北陸新幹線「あさま」用として納入 |
| 1997年 |
DIP-IPMの開発 |
| 1997年 |
ハイブリッド自動車用としてHEV-IPMを開発 |
| 1999年 |
トレンチIGBT搭載Fシリーズの開発・量産化 |
| 1999年 |
第4世代IGBT搭載小型DIP-IPMを開発 |
| 2000年 |
1200V耐圧HVICを搭載したASIPM開発 |
| 2000年 |
4.5kV HVIGBT開発 |
| 2000年 |
世界で初めてSGCTサイリスタ開発 |
| 2001年 |
大電力用途高耐圧3.3kV HVIPM開発 |
| 2002年 |
SIP-IPMを開発 |
| 2003年 |
世界初50アンペア対応の大容量DIP-IPM開発 |
| 2003年 |
車載用トランスファーモールド型DIP-IPM開発 |
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