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概要 |
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パワーエレクトロニクス分野において、鉄鋼プラントや発電設備用高圧インバータおよび標準交流電源電圧
AC 690Vに対応した汎用インバータ用、 1700V耐圧のIGBTモジュールが採用されている。今回、低飽和電圧を実現した
CSTBT™ ※1 チップ搭載の、1700V耐圧 IGBTモジュールを6タイプ（75/100/150/200/300/400A）開発・製品化しました。これらのパワーモジュールは、低損失かつ高信頼性を実現し、インバータ装置の高効率化、小型化に貢献します。
※1：Carrier Stored Trench Gate Bipolar
Transistor |
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特長 |
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当社独自の CSTBT™ ※1 採用により従来の1700V耐圧 KAシリーズのIGBTモジュールと比較して飽和電圧
Vce（sat）[@定格電流、Tj = 25℃]を約 30%削減しています。
※1：Carrier Stored Trench Gate Bipolar
Transistor |
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また従来のKAシリーズと比較して、パワーサイクル寿命を大幅に改善し、信頼性向上を図っています。 |
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絶縁基板には当社設計による窒化アルミセラミックス採用で低熱抵抗を実現し、競合他社より優れた性能となっています。 |
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主な仕様 |
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コレクタエミッタ間電圧：1700V |
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コレクタエミッタ間飽和電圧：2.2V（25℃）/ 2.45V（125℃）※2
※2：コレクタ・エミッタ間飽和電圧は標準値です。 |
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絶縁耐圧 AC 500V（充電部・ベース板間、AC 1分間） |
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用途 |
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今後の展開 |
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今回、低損失の1700V耐圧のパワーモジュールを開発したことにより、高耐圧、大電流化へ向け、産業用途への更なる市場の拡大が見込まれます。 |
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