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主な仕様
記 号 項 目 特 性 単 位
f 動作周波数 1.92〜1.98 GHz
Vcc、Vbias コレクタ電圧、バイアス電圧 3.4 V
Ict 総コレクタ電流 @27dBm 360 mA
@16dBm 45 mA
@8dBm 22 mA
Gp 電力利得 26.5 dB
PAE 電力付加効率 @27dBm 40 %
@16dBm 24 %
@8dBm 7 %
ACLR(±5MHz) 隣接チャネル
漏洩電力
±5MHz -41 dBc
ACLR(±10MHz) ±10MHz -52 dBc
Iq アイドル電流 12 mA
 
■モジュール断面図 ■ Pout-Gain、PAE特性
モジュール断面図 Pout-Gain、PAE特性
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