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概要 |
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W-CDMA（Wide-band Code Division Multiple Access）方式携帯電話端末に最適なInGaP（Indium
Gallium Phosphide） HBT（Hetero-junction Bipolar Transistor）を用いた切替式電力増幅モジュールを開発しました。本電力増幅モジュールは低・中出力時の効率を改善するとともに、従来外付けを必要とした周辺部品を削減でき、携帯電話端末の小型化に貢献します。 |
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特長 |
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業界最高の電力付加効率により、
長時間通話が可能
2系統の電力増幅器を搭載し、出力に応じて切り替えることで中出力時の電力付加効率24％を実現しました。これによって長時間通話が可能となります。
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外付け回路の内蔵により、
携帯電話端末の小型化に貢献
バイアス回路用の基準電圧発生回路を内蔵しながらも、従来と同じ4×4×1.2（mm）のモジュールサイズを実現しました。これによって携帯電話端末の小型化が可能となります。 |
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用途 |
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W-CDMA方式携帯電話端末用増幅モジュール
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今後の展開 |
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2007年秋までに、Band9（1752.4〜1782.6MHz）、Band2（1850〜1910MHz）、Band5（824〜849MHz）の周波数帯に対応した切替式電力増幅モジュールを順次製品化する予定です。 |
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