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WiMAX※2システム基地局用  GaAs FET※3内部整合高出力増幅器
MGFS45B2325C/MGFS45B2527C/MGFC47B3436C
従来比7分の1の低電流動作でEVM注12.5%以下の低歪を実現
業界標準タイプのパッケージの採用により置き換えが容易
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概要
近年、都心部を中心にブロードバンド通信サービスが普及する中で、光ケーブルなどの敷設が困難な地域の接続手段や地方市町村におけるデジタルディバイド解消手段としてWiMAXシステムが注目されています。WiMAX基地局では設置コストと運用コストを削減するため、構成品である電力増幅器の低消費電力化が求められています。今回3品種を新たに開発し、製品ラインアップを拡充してWiMAXの基地局向け事業に本格参入します。
特長
低電流動作時の低歪特性を実現し、基地局の省エネ化に貢献
高調波成分を考慮した内部整合回路及び周波数に最適設計したFETチップの開発により、低電流動作注4においてEVM注52.5%以下を実現しました。アイドル電流は従来比7分の1で、基地局の省エネ化に貢献します。
業界標準タイプのメタルセラミックパッケージを採用
従来品と同様に業界標準のメタル・セラミックパッケージを採用しています。外形寸法が同じであり、従来品からの置き換えが容易です。
用途
WiMAXシステム基地局電力増幅器用
今後の展開
  5GHz帯対応品の製品化等の周波数展開を図っていきます。
   
注1: Error Vector Magnitude
注2: Worldwide Interoperability for Microwave Access(広域無線通信)
注3: Gallium Arsenide Field Effect Transistor
(ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)
注4: MGFS45B2325/2527Cの場合 IDQ=0.9A、
MGFC47B3436Cの場合 IDQ=1.5A、
注5: MGFS45B2325/2527Cの場合Pout=34dBm
WiMax signal : 64QAM-3/4、Bw=6MHz
MGFC47B3436Cの場合Pout=37dBm
WiMax signal : 64QAM-3/4、Bw=7MHz
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