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概要 |
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近年、省エネの観点から、電鉄、電力、工業分野での大電力機器のインバーター化が進み、電力制御用パワーモジュールには、低電力損失と高信頼性の要求が高まっています。当社は定格電圧1700Vの大電力パワーモジュールとして、プレーナ型ＩＧＢＴを用いたＨシリーズ、CSTBTTM注1を搭載した低電力損失型のＮシリーズを製品化しており、今回新たに、Ｎシリーズの低損失特性に加え、放熱特性を改善したＮシリーズＢタイプを製品化しました。
注１：キャリア蓄積層を設けた当社独自のトレンチ型IGBT |
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特長 |
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低電力損失・低熱抵抗
搭載チップにCSTBTTMを採用し、従来（Hシリーズ）と比較して、飽和電圧を25%低減。
放熱特性の優れたパッケージを採用し、Ｎシリーズに対し熱抵抗を15％低減。 |
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高寿命設計
ベース板（放熱板）に熱膨張率の小さいAlSiC材（アルミシリコンカーバイド）を採用し、温度変化に対する製品寿命を一般的な銅材と比較して約10倍向上。 |
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当社従来品との置き換えが容易
従来（Hシリーズ）と取付け寸法に互換性があり、本製品への置き換えが容易なため、装置側の大きな設計変更を伴わずに電力変換の高効率化が図れます。 |
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主な仕様（定格電流2400Aの代表特性） |
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コレクタ・エミッタ間電圧 ：1700V |
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コレクタ・エミッタ間飽和電圧：2.35V注2 |
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エミッタ・コレクタ間順電圧降下：1.85V注2 |
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絶縁耐圧：4000V（AC60Hz、1分間） |
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注2：飽和電圧、電圧降下は、125℃、標準値 |
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用途 |
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電鉄用主変換機、補助電源装置 |
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電力用送電変換装置 |
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工業用大型モータードライブ制御装置 |
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今後の展開 |
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半導体技術、パッケージ技術の開発を推進し、幅広い市場ニーズに対応した製品展開を実施していきます。 |
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