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業務無線機用7.2V動作高出力MOSFET

RD12MVP1／RD09MUP2／RD05MMP1

7.2V動作で業界最高クラスの高出力化実現
上面放熱構造で無線機への実装性にも貢献

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	概要

業務無線機用高周波電力増幅デバイスはつねに高性能化（高出力化、高破壊耐量、高効率化）、小型化、使いやすさ（容易な熱設計、実装しやすさ）が強く要求されています。今回当社は、周波数帯別に最適なMOS FETチップを選択し、新しく設計した、客先での容易な実装性、低熱抵抗化が実現可能な新構造のモールドパッケージを採用することにより7.2Vの電圧で動作する業務用携帯無線機の電力増幅器用にMOSFET3品種を開発しました。高出力を要求される携帯用業務無線機に最適です。

	特長

		1．高出力周波数帯ごとに最適なRF MOS FETを採用することにより、動作電圧7.2VのMOSFETにおいて、業界最高の出力を実現しました。VHF帯で従来比^※143％増の10W以上（175MHz）、UHF帯で従来比^※414％増の8W以上（520MHz）の出力が可能となりました。また、900MHz帯向けの品種も新たにラインアップしました。 ※1： RD07MVS1（7W以上）との比較
		2．新放熱構造により実装性、放熱特性を改善素子の形状を見直し、端子と反対側の素子上面に放熱面を配置する新放熱構造を採用しました。実装しやすさ、容易な熱設計に貢献するとともに、無線機に実装した状態での放熱特性が改善します。

	用途

各種業務無線機などに最適です。

	今後の展開

ディスクリートモールド製品のハイパワー化（12.5V系）の展開を計っていきます。

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