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概要 |
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携帯電話のデータ伝送レート向上、ローカル無線ネットワークの広域化に対応した広域・高速無線通信システムとしてWiMAXの普及・拡大が期待されています。WiMAX基地局の小型、高性能、低設置費用、低ランニングコストを実現するために、デバイスには低電流・低歪特性が求められています。今回、新開発したFETチップ及び内部整合回路により、低電流動作時の歪特性を改善した内部整合型高出力GaAsトランジスタを開発しました。このデバイスの開発により、WiMAX基地局の小型、高性能、コストパフォーマンス向上に貢献できることとなります。 |
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特長 |
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1.低電流動作時の歪特性を向上
高調波成分を考慮した内部整合回路及び周波数に最適設計したFETチップの開発により、ウエハプロセス、組立工程のバラツキに起因する悪影響を低減し、低電流で低歪特性、従来比8dB注3向上となる-45dBc注4の隣接チャネル漏洩電力（ACP）を実現しています。 |
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2.業界標準タイプのメタルセラミックパッケージを採用
パッケージは従来同様、業界標準のメタル・セラミックパッケージを採用していますので、従来品からの置き換えが容易です。 |
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用途 |
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WiMAXシステム基地局電力増幅器用 |
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今後の展開 |
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周波数展開（MGFC45B3336C、MGFC45B3538C、MGFS45B2527C、MGFS45B2325C）及び高出力版（MGFC47B3436C）の製品化を図っていきます。 |
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注1：Worldwide Interoperability for Microwave Access（広域無線通信）
注2：Gallium Arsenide Field Effect Transistor（ガリウムヒ素電界効果トランジスタ）
注3：当社従来品「MGFC45A3339」との比較
注4：周波数3.4、3.6GHzの標準値 |
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