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概要 |
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DBSコンバータ用の低雑音増幅器向け |
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特長 |
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高周波利得の1dB向上
低誘電率の保護膜をウェハの段階で形成する新プロセスの開発により、高周波特性に悪影響を及ぼす寄生容量を低減し、従来比1dB向上※1となる12.5dB※2の雑音最小電力利得（Gs）を実現しました。
デバイス内部から発生する雑音の尺度である雑音指数（NF）は0.6dB※2に抑えています。
※1：当社従来品「MGF4931AM」との比較
※2：周波数=12GHzでの標準値 |
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標準タイプの4pinフラットリードパッケージを採用
パッケージは従来同様、標準の4pinフラットリードパッケージにしていますので、従来品からの置き換えが容易です。 |
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主な仕様 |
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推奨条件：VDS=2V、ID=10mA |
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雑音指数(NFmin.)：0.6dB （f=12GHz， 標準値） |
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雑音最小電力利得(Gs)：12.5dB （f=12GHz， 標準値） |
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用途 |
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12GHz帯DBSコンバータの後段低雑音増幅器向け |
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12GHｚ帯DBSコンバータのミキサー向け |
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今後の展開 |
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市場動向
DBSコンバータの高機能化が進み１セット内での製品使用数は増加すると予想 |
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技術動向
高利得化，低雑音化，高周波化（12GHｚ帯から20GHｚ帯にシフト） |
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