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N-CDMA米国800MHz帯対応 携帯電話端末用パワーアンプ
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BA01241
GaAs HBT MMICを用い業界最小クラスの 容積0.01cc(3×3×1mm3)を実現
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概要
携帯電話サ−ビスの変調方式や割当周波数帯は国別、キャリア別に異なるため、携帯電話端末は各サービスの変調方式や周波数帯に応じたパワ−アンプを搭載しています。複数の異なるサ−ビスでの使用を目的としたマルチバンド携帯電話端末は複数個のパワーアンプを搭載する必要があり、その小型化が求められています。当社では、業界最小クラスのサイズを実現した米国800MHz帯N-CDMA方式対応のパワーアンプを開発しました。
特長
業界最小クラスのサイズを実現し、マルチバンド携帯電話端末を小型化 MMIC設計技術を駆使し、チップ部品の一部をMMIC化することで、チップ部品点数を削減し、従来比約2分の1となる業界最小クラスの実装面積3mm×3mmを実現しました。
整合回路基板の樹脂化により、マルチバンド携帯電話端末を薄型化・軽量化 熱抵抗を低減した基板構造で、樹脂基板での構成が可能となり、製品高さ1.0mmと製品質量0.02gの薄型・軽量化を実現しました。
用途
米国800MHz帯N-CDMA方式対応のマルチバンド携帯電話端末用パワ−アンプとして最適です。
今後の展開
今後は、更なる動作効率の改善とW-CDMA変調方式や他の周波数帯に対応したパワ−アンプの展開開発をおこないます。
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