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M81706AFP、M81709FP
従来比1/2の入出力遅延時間短縮により、
高速駆動制御が可能
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概要
近年プラズマディスプレイパネル(PDP)、HID(High Intensity Discharge 高輝度放電)といった製品の登場により、パワーMOSFET、IGBT等の高耐圧素子の駆動制御を、小型で、しかも高速に制御するための高耐圧の半導体ドライバが必要となってきました。今回、このような市場のニーズに対応するために、新たな微細化プロセスを開発し、高耐圧素子の高速制御が可能な600V耐圧のハーフブリッジドライバを製品化しました。
特長
高速駆動を実現
新たな微細化プロセスを採用することにより、入出力遅延時間を2分の1(当社従来品比較)に大幅に短縮することができ、高耐圧素子の高速駆動を実現しました。
入力回路電源の内部電源化
入力回路電源を内部電源化することで、低電圧側駆動回路の単電源駆動が可能となりました。また、マイコンから直接信号入力することができます。
高信頼性
電源電圧異常(低電圧)保護回路、上下同時オン入力信号保護回路などの保護回路を備えており、高い信頼性を確保することができます。
用途
PDP・民生/産業用HIDランプ・エアコン・冷蔵庫・洗濯機・汎用インバータ・ACサーボ等のIGBT/MOSFET駆動
今後の展開
多様化する製品ニーズに対応するために、より高性能で、高付加価値のある製品化実現を目指します。
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