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新規開発パッケージによってモジュール外部の設計をより簡便にコンパクトにできます。
P,N端子と出力端子をパッケージの対向位置に配置し、外部配線の設計をし易くしました。
ゲート・ソースセンス端子にコネクタを採用し、組立て、交換の利便性を高めました。 |
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6素子入り(3相インバータブリッジ回路)小型パッケージ
当社低圧IGBTモジュール(2素子入り)を3個使用時と比較して、約1/3のモジュール設置面積としました。モジュール設置面積の大幅減少で装置の小型化に寄与できます。 |
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トレンチゲートMOSFETチップを採用
最新トレンチゲート構造のMOSFETチップを採用し低損失な装置を実現できます。 |
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1素子1チップを実現しアバランシェ耐量を強化
ディスクリートタイプのMOSFETを多数並列接続でこれまで構成されてきたためアバランシェ耐量が小さく使用できなかったが、今回1素子1チップを実現しアバランシェ耐量を強化したことでスナバ回路なしの装置が可能となります。 |
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専用の温度検知端子
モジュール内部にサーミスタを内蔵し温度上昇を容易に検知できる専用モニター端子を設け装置の信頼性が可能となります。 |