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	Ku帯VSAT増幅器用12.5W高出力GaAsFET

BACK  1  2  3  NEXT  表1　性能概要（f=14.0〜14.5GHz） 記号 項目 測定条件 規格 単位 最小 標準 最大 IDSS 飽和ドレイン電流 VD=3.0、Vgs=0V − 8.0 − A Vgsoff ピンチオフ電圧 VD=3.0V、ID=42mA −1.0 − −4.0 V P1dB 1dB利得圧縮時出力 VDS=10V、ID(RFoff)=3.0A 40.0 41.0 − dBm GLP　*1 線形電力利得 6.0 7.0 − dB ηadd　*2 電力付加効率 − 30 − % Rth 熱抵抗 ΔVf法 チャネル・ケース間 − 1.8 2.2 ℃/W *1：@PidB=26dBm *2：@P1dB  BACK  1  2  3  NEXT