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概要 |
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情報社会の発達につれ、衛星を使った通信システムの需要が高まりつつあります。通信容量の増大、多チャネル化に伴い、VSAT*1用電力増幅器には、小型・軽量で高出力・高効率の高性能化が要求されています。
当社はこれまで、MESFET*2を用いたKu帯*3VSAT用高出力GaAsFETを製品化していますが
、今回新しく開発したKu帯用HFET*4を用いて出力12.5W、利得7dBの高出力GaAsFET MGFK41A4045を開発しました。 |
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＊1：Very Small Aperture Terminal 超小型衛星通信基地局 |
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＊2：Metal Semiconductor FET ショットキーゲート型電界効果トランジスタ |
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＊3：12.4-18.0GHzの周波数帯 |
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＊4：Hetero structure FET ヘテロ構造の電界効果トランジスタ |
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特長 |
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新しく開発したKu帯用HFETの採用と整合回路の最適化により、Ku帯（14GHz）において高性能化を実現しました。 |
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高出力
当社従来製品MGFK39V4045に比べ出力電力が約2dB向上し、出力電力12.5Wを実現。SSPAの高出力、小型軽量化に最適。 |
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高利得、高効率
当社従来製品MGFK39V4045に比べ線形利得が約1.5dB向上し、線形電力利得7dB、電力付加効率30％を実現。SSPAの低消費電力化に最適。 |
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小型化（外形21.0×12.9mm）
従来製品MGFK39V4045（出力8W品）と同じパッケージサイズで出力12.5Wを実現し、SSPAの小型・軽量化に最適。 |
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用途 |
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Ku帯VSAT増幅器用などに最適です。 |
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今後の展開 |
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さらなる高出力版MGFK44A4045（25W）の製品化を図っていきます。 |
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