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概要 |
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NFHシリーズは、30kHzから60kHzという、電力機器としては非常に高い周波数のスイッチングに特化し、ターンオフ時に発生する電力損失を低減した、1200V耐圧100A〜600A、600V耐圧200A〜400Aの2素子入り高周波IGBTモジュールです。ターンオフ損失を600V耐圧品で従来の一般用IGBTの半分以下、1200V耐圧品では従来の1/4以下という極めて低い値に低下させることにより、従来IGBTでは実現が困難であった高周波スイッチング電力機器の開発を可能とします。 |
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特長 |
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CSTBT（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor）をベースとした高速ターンオフIGBTを開発。特にターンオンのみソフトスイッチングとなるHブリッジ回路の応用機器で効果を発揮。
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ターンオフ時にソフトスイッチングさせる場合のスイッチング損失も抑制。 |
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Uシリーズ譲りの低インダクタンスパッケージ採用。（CM300DU-24NFH:17nH） |
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高周波スイッチング対応で内部配線を強化。（ワイヤ増強従来比約150%） |
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1200V耐圧品は、ゲート電荷を低減。 |
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0.635mm厚セラミック採用により低結合容量。 |
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高パワーサイクル |
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主な仕様 |
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スイッチング損失の例
CM400DU-12NF ：Esw（off）=13[mJ/A]
CM300DU-24NFH：Esw（off）=7.5[mJ/A] |
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飽和電圧の例（Tj=125℃）
CM400DU-12NFH：Vce（sat）=1.95[V]
CM300DU-24NFH：Vce（sat）=5[V] |
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ゲート電荷の例
CM400DU-12NFH：2.48[μC]
CM300DU-24NFH：1.36[μC] |
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用途 |
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医療機器
MRI（Magnetic Resonance Imaging：核磁気共鳴画像装置）やCT（Computerized Tomography：コンピュータ断層撮影装置）、外科用レーザなど。
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誘導加熱応用製品
表面焼入れ、シーリング、溶融炉など。 |
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溶接機、絶縁電源、高圧電源など
トランスの小型軽量化に有効。 |
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非接触電力輸送
充電器など。 |
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半導体製造装置 |
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今後の展開 |
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従来、一般用IGBTモジュールを使用して高めの周波数でご利用されるケースがありましたが、1200V耐圧CSTBTが特に高速化に向いていることから、これまでの経験をもとに専用開発したのが今回のNFHシリーズです。実使用例をもとに30〜60kHzの周波数をターゲットとしました。将来SiCなどの新素材素子開発動向もにらみながら、今後さらに高い周波数に対応できるパッケージを開発していきます。
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