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概要 |
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非接触、读写RFID*2标签数据的RFID读写器装置，已在物流、运输、仓库管理、店铺的收银台等各种领域中得到应用，且其需求仍呈扩大趋势，降低制造成本已成必需。
本产品是UHF段大功率放大器，为用于RFID读写器装置，首次将输入输出匹配电路内置，以抑制额外辐射*3水平。通过此措施，在减少RFID读写器装置的零件数量的同时，也降低了额外辐射，有利于生产成本的降低。
*2: Radio Frequency Identification 无线非接触自动识别技术
*3: 成为电磁波干扰源的额外射频噪声
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特点 |
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业界首创，将输入输出匹配电路内置，减少零件数量
以往用于RFID读写器装置的大功率放大器的输入和输出，需要另外设置使外部电路和阻抗相匹配的输入输出匹配电路。而本产品采用陶瓷多层电路板提高了零件装配密度，业界首创将输入输出匹配电路内置于9.2mm × 9.1mm的封装内。通过此项措施，在省去外置匹配电路、简化电路设计的同时，也减少了零件数量，削减了成本。 |
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业界首创，抑制额外辐射水平，减轻额外辐射影响
为抑制额外辐射，以往需要用金属盒覆盖在大功率放大器周围，或在壳体内部粘贴吸波材料及导电胶带。而本款用于RFID读写器装置的大功率放大器，在业界率先采用了金属帽，以此来增强大功率放大器自身的电磁屏蔽效果，抑制泄漏水平。通过这些措施，减轻了RFID读写器装置的额外辐射影响，有利于降低生产成本。 |
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在3.3V〜5V的漏极电压下可工作。便携式和固定式均适用
采用了高耐压的硅片MOSFET*4，漏极电压为3.3V〜5V以内可工作。以3.3V电源为主流的便携式RFID读写器装置、以5V电源为主流的固定式RFID读写器装置均可适用。
*4: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 金属氧化膜半导体场效应晶体管
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主要规格 |
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| 项 目 |
RA01L9595M |
RA01L8693MA |
| 输出电力 |
1.4 W 以上 |
| 漏极馈电电压（Vdd） |
3.3 V 〜 5 V（推荐 3.3 V） |
| 输入功率 |
30 mW |
| 封装外形 |
无铅SMD封装 |
| Zg=Zl |
50 Ω |
| 综合效率 |
35% 以上（3.3 V 时） |
38% 以上（3.3 V 时） |
| 频率范围 |
952 〜 954 MHz（日本国内市场用） |
865 〜 928 MHz（欧洲、美国市场用） |
| 外形尺寸 |
长 9.2 × 宽 9.1 × 高 1.8 mm |
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用途 |
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UHF段RFID读写器 |
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今后的发展 |
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封装方式继续沿用了与RA01L相同的无铅SMD封装，致力于低价化与和大功率化。 |
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特性图 |
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