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高频器件
参加2008年微波展
我公司将于2008年11月26日(星期三)至28日(星期五)在横滨太平洋会展中心举办的“2008年微波展（MWE 2008）”上，展出W－CDMA用高效率功率放大器、WiMAX用功率放大器。
2007/12/14
Ku频段低噪音GaAs HEMT「MGF4941AL」开始投放市场
2005/09/13
三菱电机研发成功10Gbps 低噪雪崩二极管，能用于80km 传输和光组件（OSA：Optical sub-assembly）。
2004/09/27
公布了由NTT首次研发的具有内帧链路信令装置的10Giga位以太PHY集成电路。
2009/06/10
更新了在线杂志。
2009/04/28
产品新闻更新。
2009/03/18
更新了设计。
GaAs器件
综合产品目录
（英文）
(0.60MB)
2008年9月发行
SiRF器件
综合产品目录
（英文）
(0.51MB)
2008年9月发行
产品目录表
低噪声GaAs FET
低噪声GaAs HEMT
大功率GaAs FET（分立）
L/S波段内部匹配型大功率GaAs FET
C波段内部匹配型大功率GaAs FET
X/Ku波段内部匹配型大功率GaAs FET
移动电话用GaAs混合IC
无线通信用GaAs放大器
VHF 50-300MHz/小功率输出
VHF 50-300MHz/大功率输出
UHF 300-500MHz/小功率输出
UHF 300-500MHz/大功率输出
800MHz波段
1.2GHz波段
HF/VHF/UHF/900MHz
