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WiMAX系统基地局用  GaAs FET内部匹配高输出功率放大器
MGFS45B2325C/MGFS45B2527C/MGFC47B3436C
以原来七分之一的低电流动作, EVM注1 达到2.5%以下,实现低失真
采用行业标准类型插件,易于更换
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概述
近年来,以城市为中心的宽带通信服务的普及中,在作为光缆铺设在困难地域的连接手段和解决地方城市村镇数字分度手段中,WiMAX系统被受关注。为消减WiMAX基地局的安装成本和运行成本,就要求其组件—电力放大器低耗电量。此次新开发的3种产品,扩大了产品阵容,正式加入针对WiMAX基地局事业。
特点
实现低电流动作时的低失真特性,有助于基地局节能
开发出FET贴片,它最佳设计了考虑含有高次谐波成分的内部匹配回路及频率,实现了在低电流动作注4时,EVM注52.5%以下,空载电流为原来的七分之一,有助于基地局节能。
采用行业标准类型的金属陶瓷插件
采用和以往品一样的行业标准类型金属陶瓷插件。
外观尺寸一样,易于从以往品中更换下来。
应用领域
用于WiMAX系统基地局电力放大器。
今后趋势
  展开频率,谋求将5GHz帯的对应品转化为产品。
   
注1: Error Vector Magnitude
注2: Worldwide Interoperability for Microwave Access
注3: Gallium Arsenide Field Effect Transistor(镓砷电场効果晶体管)
注4: MGFS45B2325/2527C
IDQ=0.9A、MGFC47B3436  IDQ=1.5A
注5: MGFS45B2325/2527C  Pout=34dBm
WiMax signal : 64QAM-3/4、Bw=6MHz
MGFC47B3436C  Pout=37dBm
WiMax signal : 64QAM-3/4、Bw=7MHz
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