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商用无线电设备用7.2V工作高输出MOSFET
RD12MVP1/RD09MUP2/RD05MMP1
7.2V工作实现了业界最高级别的高输出因表面的散热结构，也为在无线电设备上的封装作出了贡献
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概述
商用无线电设备用高频功率放大器，一直对高性能化（高输出化、高耐破坏性、高效化）、小型化、易用性（简便的热设计、易封装性）有着非常高的要求。此次，本公司针对不同频带选择最适合的MOSFET芯片，重新设计，采用在客户处便于封装、低热电阻化的全新结构封装模式，开发出可在7.2V电压下工作的商用便携式无线电设备功率放大器的3种MOSFET。最适用于要求高输出的便携式商用无线电设备。
特点
1．高输出
采用最适合每一频带的RF MOSFET，在工作电压为7.2V的MOSFET上，实现了业界最高的输出。VHF频带的输出功率可以比以往
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增加43％，达到10W以上（175MHz）、UHF频带的输出功率可以比以往增加14％，达到8W以上（520MHz）
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。并且，本公司还新推出了面向900MHz频带的新产品。
※1： 与RD07MVS1（7W以上）相比较
2．通过新式散热结构改善了封装性、散热特性
调整元件的形状，采用了在端子相反一侧的元件表面配置散热面的新散热构造。这不仅对易于封装、简便的热设计方面作出了贡献，还改善了封装在无线机内状态下的散热特性。
应用领域
最适用于各种商用无线电设备等。
今后趋势
今后将开展离散电路模式产品的高功率化（12.5V系列）。
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