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概述 |
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WiMAX提高了移动电话的数据传输率，并且对应了当地无线网络广域化的广域、高速无线通讯系统，可以期待其进一步的普及与扩大。为了满足WiMAX中继站小型化、高性能、低设置费用、低运行成本的要求，要求器件具有低电流、低偏差的特性。通过采用此次新开发的FET芯片以及内部整合电路，开发出了低电流工作时改善偏差特性的内部整合型高输出GaAs晶体管。通过成功开发该器件，将为提高WiMAX中继站的小型化、高性能、低成本运行做出贡献。 |
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特点 |
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1.提高在低电流工作时的偏差特性
因开发高频调波成分的内部整合电路以及最适合频率而设计的FET芯片，可以降低在晶片工序、组装工序出现的不良影响，实现在低电流下的低偏差特性，比过去提高8dB注3，达到-45dBc注4的邻接通道漏电（ACP） |
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2.采用业界标准型的金属陶瓷封装
封装与传统产品相同，采用业界标准的金属陶瓷封装形式，使得与传统产品的更换更为容易。 |
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应用领域 |
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用于WiMax系统中继站功率放大器 |
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今后趋势 |
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将进一步推动扩大频率（MGFC45B3336C、MGFC45B3538C、MGFS45B2527C、MGFS45B2325C）以及高输出版（MGFC47B3436C）的产品化。 |
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注1：Worldwide Interoperability for Microwave Access（广域无线通信）
注2：Gallium Arsenide Field Effect Transistor（镓场效应晶体管）
注3：与本公司传统产品“MGFC45A3339”相比较
注4：频率为3.4、3.6GHz的标准值 |
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