三菱半导体首页 产品新闻 产品
三菱半导体 产品新闻
DIP-CIB系列
半导体产品搜索
产品信息
光器件
高频器件
功率器件
特性参数表更新
特性参数表
产品目录下载
产品新闻
相关论文
应用说明
可靠性
综合信息
联系我们
销售办事处




DIP-CIB
CPxxTD1-12A/CPxxTD1-24A
搭载了低损耗的CSTBTTM压注模类型CIB模块
1  2  3  NEXT 
概述
本公司于1994年开发出用于3.7kW以下小容量继电装置的,内置有转换器、继电器与制动电路的复合型模块,因其低损耗与高可靠性,得到了广泛使用。为满足更加小型化、低损耗化、低成本化的市场需求,此次,采用CSTBTTM芯片与高散热绝缘结构及压注模封止成型技术,不仅实现了小型、轻量、低损耗,同时实现了高可靠性“DIP-CIB系列”的产品化。
特点
采用压注模结构,封装面积与本公司传统产品相比降低50%,对应用装置的小型化与轻量化作出了贡献。
搭载最优化处理后的CSTBTTM,功率损耗比本公司传统产品降低25%以上,对降低应用装置的损耗与提高功率的转换率作出了贡献。
采用新开发的散热性优良的绝缘膜,与本公司同容量的DIP-IPM相比热电阻降低了20%以上。
因采用无铅焊锡等,符合RoHS指令。
主要规格参数
集电极、发射极间电压(VCES):600V/1,200V
集电极电流(Ic): 20A, 30A/600A; 10A, 15A, 20A/1200V
绝缘耐压(Viso): 2,500Vrms
接合温度(Tj): -20~150℃
保存温度(Tstg): -40~125℃
应用领域
小容量通用继电器、AC伺服器、一般工业用马达驱动装置等。
今后趋势
今后将进行内置功率芯片的高性能化(更低损耗、更高电流密度化)与封装结构最优化的开发,期待实现模块更小型化与扩大电流容量的目标。
1  2  3  NEXT