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概述 |
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面向DBS变频器的低噪放大器 |
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特点 |
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高频增益提高了1dB
通过开发在晶片阶段形成低介电常数保护膜的新工艺，降低了对高频特性带来不良影响的寄生电容，实现了比原来提高了1dB※1、达12.5dB※2的噪声最小功率增益（Gs）。
器件内部产生的噪声的尺度―噪声指数（NF）控制在0.6dB※2。
※1：与本公司原有产品“MGF4931AM”的比较
※2：频率数=12GHz下的标准值 |
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采用标准型4pin引脚扁平封装
由于封装采用与以前相同的标准型4pin引脚扁平封装，因此，容易置换原有产品。 |
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主要规格参数 |
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推荐条件：VDS=2V、ID=10mA |
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噪声指数(NFmin.)：0.6dB （f=12GHz，标准值） |
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噪声最小功率增益(Gs)：12.5dB （f=12GHz，标准值） |
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应用领域 |
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面向12GHz带DBS变频器的后段低噪放大器 |
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面向12GHｚ带DBS变频器的混频器 |
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今后趋势 |
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市场动向
预计DBS变频器的高功能化将会加快，在1个机组内的产品使用数量将会增加。 |
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技术动向
高增益化、低噪化、高频化（由12GHｚ带转变为20GHｚ带） |
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