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概要 |
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近年来，随着等离子显示屏（PDP）、HID（High Intensity Discharge 高亮度放电）等产品面世，为了控制MOSFET功率、IGBT等高耐压元件的驱动，需要有小型的、而且能进行高速控制的高耐压半导体驱动器。为了适应对市场需求，本公司开发了新的亚微米工艺，生产出能够高速控制高耐压元件的600V耐压半桥驱动器产品。 |
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特点 |
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由于采用新的亚微米工艺，输入输出延迟时间缩短二分之一（与本公司以往产品对比），实现高耐压元件的高速驱动。 |
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输入电路电源改为内置电源
输入电路电源改为内置电源后，能够实现低压侧驱动电路的单电源驱动。而且可以从微处理单元直接输入信号。 |
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高可靠性
具备电源电压异常（低电压）保护电路、上下同时ON输入信号保护电路等保护电路，能够确保高可靠性。 |
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用途 |
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PDP、民生/产业用HID灯具、空调、冰箱、洗衣机、通用变换器、AC伺服器等的IGBT/MOSFET驱动 |
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今后的进展 |
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为了适应产品多样化的需求，本公司将努力研制性能更优、附加值更高的产品。 |
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