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商用无线　设备用“7.2V大功率MOSFET”样品开始提供

凭借业界最大输出功率为延长通话距离做出了贡献

商用无线　设备用“7.2V大功率MOSFET”样品开始提供

	概述

		三菱电机（执行总经理：下村节宏）将自7月1日起，提供3种用于7.2V商用无线设备的新品MOSFET样片，这3种新产品均实现了业界最大输出功率※2。这些产品将参展“IMS 2006 MTT-S※3”（6月13日～16日，美国旧金山）。 ※1：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管。 ※2：截至到2006年6月12日 ※3：International Microwave Symposium2006 Microwave Theory ＆ Techniques Society

		对于广泛应用于警察、消防、自治体以及民间企业等的商用无线电设备，提出了进一步延长通话距离的要求，提高搭载于功率放大器的功率放大元件（MOSFET）的输出功率势在必行。此次本公司通过采用不同频带下的最优化制造工艺，开发出了3种用于在7.2V便携式商用无线电设备的功率放大器的MOSFET，这3种新产品均实现了业界最大输出功率。这些产品最适用于要求大输出功率的便携式商用无线电设备。

	发售概要

型号	概要	外形尺寸 [mm]	样品价格 (税前)	发售日期	预定生产量
RD12MVP1	频率：VHF 输出功率：10W以上	6.2 x 8.0 x 1.8	760 日元	样品上市 7月1日开始量产 8月	年产 600K
RD09MUP2	频率：UHF 输出功率：8W以上		800 日元
RD05MMP1	频率：900MHz 输出功率：5.5W以上		890 日元

	新产品的特点

		在7.2V的工作电压下，实现了业界最大输出功率，为延长通话距离作出了贡献通过采用最适合各频带的制造工艺，使工作电压为7.2V的MOSFET实现了业界最大输出功率。VHF频带的输出功率可比以往增加43%、达到10W以上(175MHz)，UHF频带的输出功率可比以往增加14%、达到8W以上(520MHz)※4，为延长通话距离作出了贡献。并且，本公司还新推出了面向900MHz频带的新品。 ※4：与VHF频带/UHF频带共用的RD07MVS1（7W以上）相比较
		采用新散热结构改善散热特性调整元件的形状，采用了在端子相反一侧的元件表面配置散热面的新散热构造。改善了封装在无线机内的状态下的散热特性。

	主要规格

	RD12MVP1	RD09MUP2	RD05MMP1
输出功率	10W以上（12Wtyp.）	8W以上（9Wtyp.）	5.5W以上（6Wtyp.）
输漏极效率	55%以上（f=175MHz）	50%以上（f=520MHz）	43%以上（f=941MHz）
输漏极电源电压（Vdd）	7.2V	7.2V	7.2V
输入功率（W）	0.5W	0.8W	0.7W

	今后工作的开展

2007年底以前，推出可用12.5V车载电池驱动的产品。