三菱半导体

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2007/06/12: 三菱电机推出640nm, 输出功率为150mW的激光二极管ML520G51。
2007/04/24: 三菱电机开发出与XMD-MSA兼容的10Gbps DWDM 电吸收调制激光器模块
2007/03/26: 用于光纤通信领域的6家主要半导体生产厂商，就40Gbit/s解决方案的小型激光器件通用规格（XLMD-MSA）达成一致
2007/03/13: 三菱电机公司研发出用于2.5Gbps光接收器的低噪音雪崩光电二极管
2006/12/14: Ku频段低噪音GaAs HEMT「MGF4941AL」开始投放市场
2006/03/01: 三菱电机开发了10 Gbps电子接收调制器集成激光二极管模块，符合XMD-MSA.(133KB)。
2005/09/13: 三菱电机研发成功10Gbps 低噪雪崩二极管，能用于80km 传输和光组件（OSA：Optical sub-assembly）。
2005/08/23: 三菱电机生产的100km传输用2.5 Gbps半导体激光二极管新产品开始出厂。
2005/01/25: 三菱电机生产的2.5Gbps CWDM光纤通信用新型半导体激光二极管开始出厂。
2004/09/27: 公布了由NTT首次研发的具有内帧链路信令装置的10Giga位以太PHY集成电路。
2004/08/03: 三菱电机的新型S频带高功率放大器模块投产。